本文摘要：苏企自律研发高功率半导体芯片，在国际上首次利用单管芯片构建构建光纤输出功率多达4000瓦半导体激光器。

苏企自律研发高功率半导体芯片，在国际上首次利用单管芯片构建构建光纤输出功率多达4000瓦半导体激光器。　　6月17日，2016年首批4个姑苏领军人才计划根本性创意团队候选项目审批完结。

来自苏州高新区宽光华芯光电技术有限公司申报的高功率半导体激光芯片及应用于模块、系统的研发及产业化项目榜上有名，其在一粒米大小的芯片上能收到多达10瓦的光的芯片研发，跑到了世界的前茅。　　在长光华芯公司大厅里，笔者看见了享有中国几乎自律知识产权、超过国际先进设备水平的单管芯片和构建巴条。单管芯片体积大约一粒米大小，但要比米更加粗、更加厚。

单管芯片早已较小了，但它的闪烁部分只占到了单管芯片的五分之一。也就是说，这光就就是指一条微缝隙中收到的，可多达10瓦。

公司技术负责人向记者笔者讲解，你设想一下，在这么微小的芯片上，要支撑高功率、高亮度，还要遭受寄居大电流而不被穿透，构建电、热、光之间的切换，有多难？技术人员展出所研发的芯片，左侧是构建巴条，右侧为单管芯片。芯片仅有工艺流程都是自律研发，享有几乎自律知识产权。　　事实上，目前我国高功率半导体芯片大多要倚赖进口，而很多国家在对华出口高性能半导体芯片上多有容许。世界于是以转入光生产时代，高能激光技术也正在引导制造业革命。

当前国际半导体激光器技术发展的趋势是要同时取得高功率、高亮度、高效率、高可靠性。难题在提升多芯片的指向一致性、减少收敛角、掌控芯片内部形变、提升芯片偏振度及合束效率。

宽光华芯公司负责人说道。　　宽光华芯团队的创意，就在于在国际上首次用于自主创新的分布式载流子流经技术，解决问题了半导体激光器在高功率工作条件下的非线性效应问题，提高了输出功率，超过了国际领先水平；在国际上首次利用单管芯片构建构建光纤输出功率多达4000瓦半导体激光器，构建多达560个分离出来单管芯片的合束耦合入400微米光纤中。

而这样的成果，从芯片设计、外延生长、器件PCB、模块、光纤耦合模块及系统，仅有工艺流程都是自律研发，享有几乎自律知识产权。该团队还先后分担了国家863、973、04等国家根本性专项。

　　该团队还将芯片技术运用在了切割成与焊上，其研发的半导体激光器切割成机床取得2015年中国激光行业技术创新奖，将半导体激光器切割成技术做了全国第一。过去的气体激光器焊，体积要像一间房子那么大；运用我们的高功率半导体激光芯片制成的焊器，大小就像一个小冰箱。

并且，我们的激光焊点是平顶的、温度是完全一致的，在焊中具备无与伦比的优势。

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